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jueves, 2 de enero de 2014

Polarización Directa e Inversa del diodo rectificador.

POLARIZACIÓN DIRECTA E INVERSA DEL DIODO RECTIFICADOR”

OBJETIVOS DEL EXPERIMENTO

Aplicar los conocimientos adquiridos en el aula acerca del  manejo e interacción de circuitos con el apoyo de software de simulación en la creación de circuitos electrónicos, simulando así un circuito con un diodo ideal, el cual es conectado directa e inversamente a fin de observar de manera gráfica y simulada las diferencias entre ambos.

INTRODUCCIÓN

El diodo es el dispositivo más sencillo realizado con materiales semiconductores. Su fabricación se lleva a cabo mediante la unión de dos semiconductores, uno de tipo P y otro de tipo N. El terminal que sale del semiconductor tipo P se denomina ánodo y el terminal que sale del semiconductor tipo N, cátodo.

MARCO TEÓRICO

LA POLARIZACIÓN DEL DIODO
Para que un diodo pueda conducir la corriente eléctrica, hay que eliminar en todo o en parte la zona desértica, lo que quiere decir que hay que disminuir la barrera. Esto se realiza con la aportación de una fuente externa de tensión eléctrica, lo que supone ofrecer a las cargas una energía determinada para que logren liberarse de sus enlaces y así puedan moverse. Este proceso se denomina polarización. La polarización puede ser de dos tipos: directa o inversa.

La polarización directa consiste en situar un potencial mayor en el ánodo que en el cátodo, tal y como se muestra en la figura adjunta.

Una polarización inversa se consigue conectando el terminal ánodo a un potencial que sea más negativo que el que se conecte al cátodo, que será más positivo.





Por tanto, nos encontramos ante la situación en la que el diodo podrá conducir electricidad a través de él, según se polarice en un caso o en otro, comportándose del mismo modo que un interruptor controlado por voltaje.

MATERIALES  Y EQUIPO
ELEMENTOS DENTRO DE LA SIMULACIÓN

1.  Resistencia 660 Ω.
1. Diodo ideal IN4001.
1. Diodo emisor de luz (LED).
1 fuente de corriente directa (9volts).
1 fuente de corriente alterna (9volts).
1 voltímetro digital

PROCEDIMIENTO  Y DESARROLLO

Objetivo A.  Determine el valor de la resistencia equivalente del circuito para que de esta manera el voltaje introducido al diodo se encuentre dentro de su margen de funcionalidad (0.6v-0.7v)

Rcirc = VR                   Rcirc = 6.6v   =  660Ω
I                             10mA
             
Objetivo B.  Diseñe y construya un circuito que represente la polarización de un diodo (directa e inversa).


RESULTADOS DEL CIRCUITO
POLARIZACION DIRECTA
POLARIZACION INVERSA
VDIODO
VRESISTENCIA
VLED
VDIODO
VRESISTENCIA
VLED
0.71V
6.06V
2.22V
-9V
0V
0V

Cabe mencionar que la mayoría de documentos (por internet, incluso en libros) nos dicen que el diodo conectándolo de manera directa se comporta como un interruptor cerrado, es decir permite que la corriente fluya a través de él, y que de manera contraria cuando se polariza inversamente, éste ahora se muestre con características de un interruptor abierto, idealmente se dice que no fluiría corriente alguna a través de él en esta conexión (inversa)tienen estos criterios pero con la siguiente tabla de datos, se muestra si esto es o no 100% acertado.

TABLA DE COMPARACIÓN DE POLARIZACION INVERSA Y DIRECTA
POLARIZACION DIRECTA
POLARIZACION INVERSA
CORRIENTE(Id)
VOLTAJE(Vd)
CORRIENTE(Id)
VOLTAJE(Vd)
0.1V
0.02uA
-0.1V
0.13uA
0.2V
0.08uA
-0.2V
0.25uA
0.3V
1.08uA
-0.3V
0.36uA
0.4V
19.28uA
-0.4V
0.47uA
0.5V
150.58uA
-0.5V
0.58uA
0.6V
1.765mA
-0.6V
0.69uA
0.7V
10.185mA
-0.7V
0.8A
0.8V
35.726mA
-0.8V
0.9uA
0.9V
51.302mA
-0.9V
1.02uA

SIMULACIÓN

Realice utilizando el software Proteus la simulación de los circuitos implementados en la práctica con el propósito de comparar los resultados obtenidos en el laboratorio contra los resultados de la simulación.




miércoles, 1 de enero de 2014

Practica Polarizacion del transistor BJT

OBJETIVOS DEL EXPERIMENTO

Aplicar los conocimientos adquiridos en el aula acerca del  manejo e interacción de circuitos con el apoyo de software de simulación en la creación de circuitos electrónicos, simulando así un circuito con transistor BJT, el cual es conectado de manera FIJA a fin de observar de manera gráfica y simulada los comportamientos que este presenta.


INTRODUCCIÓN
El transistor BJT (del inglés Bipolar Junction Transistor) consta de un sustrato de material semiconductor (usualmente Silicio, aunque también se utiliza Germanio o Arseniuro de Galio) y tres capas dopadas artificialmente que forman dos uniones bipolares, el emisor (E) que emite portadores, el colector (C) que los recibe o recolecta y la base (B), que está intercalada entre las dos primeras, modula el paso de dichos portadores.

MARCO TEÓRICO
TRANSISTORES BIPOLARES.
Tipos de encapsulado
.

Dependiendo del dopaje que se le da a cada una de las partes o capas del transistor, se pueden obtener transistores tipo NPN o PNP, donde la letra intermedia siempre corresponde a la característica de la base.

 MODO DE OPERACIÓN DEL TRANSISTOR BJT.




1. MODO CORTE: Ambas uniones del transistor están polarizadas en inverso.

2. MODO ACTIVO: La unión base-emisor tiene polarización directa y la unión 
colector-base, inversa.

3. MODO SATURACIÓN: Ambas uniones del transistor tienen polarización directa.

4. MODO INVERSO: La unión base-emisor tiene polarización inversa y la unión colector-base polarización directa. Rara vez se utiliza el transistor en este modo.


Polarización de Transistores BJT en Configuración Emisor Común


• CIRCUITO DE POLARIZACIÓN FIJA:


MATERIALES  Y EQUIPO


1. Resistencia 700 kΩ.
1.  Resistencia 3.28 kΩ.
1. transistor BJT NPN 2N2222.
1 fuente de corriente directa variable (regulada en 14 volts).
1 multímetro digital.
2 capacitores cerámicos de 1uF.
1 protoboard.
1 juego de pinzas.
1 metro cable telefónico.
1 generador de señales.
1 osciloscopio digital.


PROCEDIMIENTO  Y DESARROLLO

Objetivo A.  Considerando el circuito de la figura 1. Determine de manera analítica (aplicando las formulas) mediante la ley de ohm y las leyes de kirchhoff los valores correspondientes al siguiente circuito de POLARIZACIÓN FIJA del BJT:

Considerando que:
Vcc=14volts; Rc=3.28KΩ ; Rb=700K Ω ; VCE =1/2Vcc=7volts y β=165 



En la malla de salida tenemos:


-Vcc+RcIc+Vce=0                                Vcc-Vce=RcIc

Ic=(Vcc-Vce)/Rc=  (14-7)/3280           Ic=2.134mA

IBQ= ICQ/ β =2.134mA/165                 IBQ=12.93uA


Objetivo B.  Realice de manera física el montaje del circuito de la figura 1,  a fin de corroborar los resultados obtenidos. Además agregar una función por medio del generador de señales para apreciar el comportamiento del circuito.

RESULTADOS OBTENIDOS CON POLARIZACION FIJA
MANERA ANALITICA
MEDICION CON MULTIMETRO
Ic
2.134mA
Ic
2.77mA
IBQ
12.93uA
IBQ
19.3uA
Vcc
14
Vcc
14v
VBE
0.7
VBE
0.69v


Objetivo C.  Realice la simulación en el software Proteus del circuito de la figura 1,  a fin de corroborar los resultados obtenidos.