Practica Polarizacion del transistor BJT

OBJETIVOS DEL EXPERIMENTO

Aplicar los conocimientos adquiridos en el aula acerca del  manejo e interacción de circuitos con el apoyo de software de simulación en la creación de circuitos electrónicos, simulando así un circuito con transistor BJT, el cual es conectado de manera FIJA a fin de observar de manera gráfica y simulada los comportamientos que este presenta.

INTRODUCCIÓN

El transistor BJT (del inglés Bipolar Junction Transistor) consta de un sustrato de material semiconductor (usualmente Silicio, aunque también se utiliza Germanio o Arseniuro de Galio) y tres capas dopadas artificialmente que forman dos uniones bipolares, el emisor (E) que emite portadores, el colector (C) que los recibe o recolecta y la base (B), que está intercalada entre las dos primeras, modula el paso de dichos portadores.

MARCO TEÓRICO

TRANSISTORES BIPOLARES.
Tipos de encapsulado.

Dependiendo del dopaje que se le da a cada una de las partes o capas del transistor, se pueden obtener transistores tipo NPN o PNP, donde la letra intermedia siempre corresponde a la característica de la base.

 MODO DE OPERACIÓN DEL TRANSISTOR BJT.

1. MODO CORTE: Ambas uniones del transistor están polarizadas en inverso.

2. MODO ACTIVO: La unión base-emisor tiene polarización directa y la unión colector-base, inversa.

3. MODO SATURACIÓN: Ambas uniones del transistor tienen polarización directa.

4. MODO INVERSO: La unión base-emisor tiene polarización inversa y la unión colector-base polarización directa. Rara vez se utiliza el transistor en este modo.

Polarización de Transistores BJT en Configuración Emisor Común

• CIRCUITO DE POLARIZACIÓN FIJA:

MATERIALES  Y EQUIPO

1. Resistencia 700 kΩ.

1.  Resistencia 3.28 kΩ.

1. transistor BJT NPN 2N2222.

1 fuente de corriente directa variable (regulada en 14 volts).

1 multímetro digital.

2 capacitores cerámicos de 1uF.

1 protoboard.

1 juego de pinzas.

1 metro cable telefónico.

1 generador de señales.

1 osciloscopio digital.

PROCEDIMIENTO  Y DESARROLLO

Objetivo A.  Considerando el circuito de la figura 1. Determine de manera analítica (aplicando las formulas) mediante la ley de ohm y las leyes de kirchhoff los valores correspondientes al siguiente circuito de POLARIZACIÓN FIJA del BJT:

Considerando que:

Vcc=14volts; Rc=3.28KΩ ; Rb=700K Ω ; V_CE =1/2Vcc=7volts y β=165 

En la malla de salida tenemos:

-Vcc+RcIc+Vce=0                                Vcc-Vce=RcIc

Ic=(Vcc-Vce)/Rc=  (14-7)/3280           Ic=2.134mA

I_BQ= I_CQ/ β =2.134mA/165                 I_BQ=12.93uA

Objetivo B.  Realice de manera física el montaje del circuito de la figura 1,  a fin de corroborar los resultados obtenidos. Además agregar una función por medio del generador de señales para apreciar el comportamiento del circuito.

RESULTADOS OBTENIDOS CON POLARIZACION FIJA
MANERA ANALITICA		MEDICION CON MULTIMETRO
Ic	2.134mA	Ic	2.77mA
IBQ	12.93uA	IBQ	19.3uA
Vcc	14	Vcc	14v
VBE	0.7	VBE	0.69v

Objetivo C.  Realice la simulación en el software Proteus del circuito de la figura 1,  a fin de corroborar los resultados obtenidos.